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英飞凌最新一代高功率密度IGBT单管在焊机中的应用

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英飞凌在2018年上半年推出了基于IGBT6技术的1200V单管IGBT,1200V TRENCHSTOP™ IGBT6发布了2个产品系列:优化导通损耗-S6系列和优化开关损耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 S6系列集电极-发射极饱和电压VCE(sat)1.85 V,导通损耗低,并且拥有与HighSpeed3 H3系列相同的低开关损耗。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 H6则进一步优化开关损耗,相比于上一代HighSpeed3 H3系列,总开关损耗降低约15%。英飞凌推出的超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术可进一步缩小芯片尺寸、提高功率密度。英飞凌率先将40A 650V IGBT和40A二极管封装在D2PAK,相比于其他竞争对手30A 双芯片IGBT产品,其额定电流值提高了25%。对于这两款最新产品,英飞凌分别做了2个手提式焊机的样机供大家参考,本次Webinar向大家详细介绍了如何用这两种高功率密度的单管IGBT设计高效,高功率密度,轻便以及低成本的手提式焊机产品。
嘉宾介绍
  • 晶川-陈战国

    晶川-陈战国 演讲嘉宾

    职称:中小功率市场经理

    简介:北京晶川电子中小功率市场经理,主要负责英飞凌分离IGBT单管,..

  • 英飞凌-施俊

    英飞凌-施俊 演讲嘉宾

    职称:英飞凌科技市场营销经理

    简介:英飞凌科技市场营销经理

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